1310nm/1550nm InGaAs fotodiodas Gamintojai

Didesnė 1410 nm DFB drugelio lazerinio diodo išėjimo galia, mažas triukšmas ir itin siauras linijos plotis idealiai tinka šiam puslaidininkiniam optiniam sprendimui įvairioms reikmėms, kur itin svarbus absoliutus tikslumas, patikimumas visą gyvenimą esant sudėtingoms lauko sąlygoms ir didelė skiriamoji geba, pvz., nuotolinis aptikimas, paskirstyta temperatūra, deformacijos arba akustinio šviesolaidžio stebėjimas, didelės skiriamosios gebos spektroskopija, LIDAR ir kitos tikslios metrologijos programos.

976 nm 9W VBG stabilizuoto bangos ilgio diodinis lazeris yra naujausias mūsų L4 platformos sprendimas šviesolaidinio lazerio siurbimo rinkoje. Lazerinio diodo konstrukcija, kuri išnaudoja L4 pėdsaką, užtikrina aukštą grįžtamojo ryšio apsaugą nuo bet kokio pluošto lazerio bangos ilgio. 976 nm 9W VBG stabilizuoto bangos ilgio diodinis lazeris integruoja VBG, kad stabilizuotų bangos ilgį. 976 nm 9 W VBG stabilizuoto bangos ilgio diodinis lazeris siūlo 9 W galią iš 105 µm pluošto.

1625 nm 2,5 G DFB pigtailinis diodinis lazeris turi CWDM-DFB lazerinį lustą, įtaisytą izoliatorių, įmontuotą monitoriaus fotodiodą, 4 kontaktų koaksialinį paketą ir pasirenkamą SC/APC, FC/APC, FC/PC optinio pluošto jungtį. Jis užtikrina žemą slenkstį ir darbinę srovę, kai išėjimo galia yra nuo 1 MW iki 4 MW. Optinių skaidulų ilgis gali būti tiekiamas pagal kliento reikalavimus. Taip pat galimi įvairūs kaiščių apibrėžimai. Šios serijos gaminiai gali būti naudojami kaip stabilizuotas šviesos šaltinis arba moduliuotas šviesos šaltinis. Jis taip pat aptinkamas bandymo aparatuose ir OTDR įrangoje.

Toliau kalbama apie CWDM 10 mW DFB drugelio lazerinį diodą su TEC, skirtą telekomunikacijoms, tikiuosi padėti jums geriau suprasti CWDM 10 mW DFB drugelio lazerinį diodą su TEC telekomunikacijoms. Sveikiname naujus ir senus klientus ir toliau bendradarbiauja su mumis, kad kartu kurtume geresnę ateitį!

„BoxOptronics“ poliarizaciją palaikantis spinduliuotei atsparus Erbiu legiruotas pluoštas turi geras atsparumo spinduliuotei charakteristikas, kurios gali veiksmingai sumažinti didelės energijos jonų spinduliuotės poveikį erbiu legiruotam pluoštui, taip pat pasižymi dideliu dvigubu lūžiu ir puikiomis poliarizaciją palaikančiomis savybėmis. Pluoštas turi gerą konsistenciją. Jis gali būti siurbiamas esant 980 nm arba 1480 nm ir gali sukurti mažų nuostolių ryšį su ryšio optiniu pluoštu.

1490 nm DFB drugelio lazerinis diodas turi 10 mW 20 mW išėjimo optinę galią, didelį šoninio režimo slopinimo koeficientą (SMSR), mažą likutinį čirškėjimą ir įmontuotą termoelektrinį aušintuvą, termistorių ir galinio kampo monitoriaus fotodiodą, skirtą išoriniam optiniam galios valdymui.