Profesinės žinios

Kokie yra 1-osios eilės Ramano stiprintuvo ir 2-osios eilės Ramano stiprintuvo principai ir skirtumai?

2025-08-28

1stt eilės Ramano sklaidos principas:

1-os eilės Ramano spektroskopija naudoja stimuliuotą Ramano sklaidą silicio dioksido optiniuose pluoštuose. 140 nm siurblio lemputė tiesiogiai sustiprina C juostos signalo lemputę (1530-1565 nm). Siurblio lemputė vibruoja ir išsibarsto pluošte, perduoda energiją į signalo šviesos dažnį.


2-osios eilės Ramano išsklaidymo principas.13xx nm siurblio pluoštaspridedamas prie esamo siurblio pluošto. 13xx nm siurblio pluoštas pirmiausia sustiprina 14xx nm siurblio pluoštą, kuris tada sustiprina C juostos signalo lemputę. Ši dvigubos „Raman“ sklaidos technika suteikia daug pranašumų ir yra tinkama sudėtingoms sistemoms, turinčioms didelius atstumus ar didelio bangos ilgio atskyrimo tankį.


Palyginimas: siurblio šaltinių skaičius. Pirmosios eilės Ramano spektroskopijoje naudojamas tik vienas siurblio šaltinis. Tačiau norint generuoti C juostos signalą (14xx nm), reikalingi du antros eilės šviesos šaltiniai (130xx nm + 14xx nm).


Amplifikacijos mechanizmas

Pirmosios eilės stiprintuvai tiesiogiai amplifikuoja optinius signalus, o antros eilės stiprintuvai padidina padidėjimą per vidutinį amplifikaciją, užtikrinant platesnį pralaidumo ir didesnį stiprinimo efektyvumą.


Paraiškos

Pirmosios eilės stiprintuvai yra tinkami perduoti trumpametražiams, o antrosios eilės stiprintuvai yra idealūs tolimojo perdavimo sistemoms arba didelio tankio bangos ilgio multipleksavimo sistemoms (tokioms kaip 96 bangos ilgio sistemos).


„Box Optronics“ siūlo 1-os eilės „Raman“ stiprintuvus, kurie naudoja 14xx nm lazerius kaip „Raman“ siurblio šaltinius, kad būtų galima sustiprinti C juostos ar C+L juostos šviesą, efektyviai kompensuodami optinio signalo silpnėjimą perduodant ilgą laiką. Bendrovė taip pat siūlo 2-osios eilės paskirstytus „Raman“ stiprintuvus


X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept