Mėlynos šviesos puslaidininkių lazerio struktūra ir darbo principas

Priklausomai nuo aktyvios regiono medžiagos, mėlynos šviesos puslaidininkio lazerio puslaidininkinės medžiagos juostos tarpo plotis skiriasi, todėl puslaidininkių lazeris gali skleisti skirtingų spalvų šviesą. Mėlynos šviesos puslaidininkio lazerio aktyvioji regiono medžiaga yra Gan arba Ingan. Tipiško gan pagrindu pagaminto lazerio struktūra parodyta 1 paveiksle. Nuo apačios iki z krypties, tai yra N-elektrodas, GAN substratas, N tipo A1GAN Apačiojo izoliacijos sluoksnis, N-tipo HGAN AUTHAVE GURPUIDE LENER, Multi-Quantum Well (MQW) Aktyvioji sritis, neviršiai DOPED HGAN viršutinio bangolaidžio sluoksnis, daugialypė quantum Well (MQW) aktyvioji sritis. P tipo A1GAN viršutinė uždarumo sluoksnis, P tipo GAN sluoksnis ir P-elektrodas

Didžiausias daugialypės kvanto šulinio šulinio aktyvaus regiono (MQW) medžiagų lūžio rodiklis, o abiejų aktyviojo regiono abiejų aktyviojo regiono medžiagų lūžio rodiklis rodo mažėjančią tendenciją. Paskirstant medžiagos lūžio rodiklį z kryptimi, aukštai viduryje ir žemiau, šviesos laukas z kryptimi gali būti ribojamas tarp viršutinio ir apatinio bangolaidžio sluoksnių. Y kryptimi dalis P tipo sluoksnio abiejose lazerio pusėse pašalinama ėsdinant, o plonas silicio dioksido (SiO2) sluoksnis nusėda, galiausiai sudarant kraigo struktūrą. Silicio dioksido ir oro lūžio rodiklis yra mažesnis nei p tipo sluoksnio, todėl lūžio rodiklis y kryptimi yra aukštas viduryje ir žemas abiejose pusėse, o šviesos laukas apsiriboja kalnagūbrio viduryje. Dėl ribojančio Y ir Z krypčių poveikio šviesos laukui, šviesos laukas YZ plokštumoje yra elipsinis pasiskirstymas. X kryptimi priekinę ir galinę ertmės paviršius gali būti suformuoti mechaniniu skilimu ar ėsdinimu, o priekinių ir galinių ertmės paviršių atspindį galima sureguliuoti išgarinant dielektrinę plėvelę. Paprastai priekinės ertmės paviršiaus atspindėjimas yra mažesnis nei galinės ertmės paviršiaus, siekiant užtikrinti, kad lazeris būtų skleidžiamas iš priekinės ertmės paviršiaus.